捷德電子礦用防爆本安型照相機大致要具備成像、曝光和輔助三大結構系統。成像系統包括成像鏡頭、測距調焦、取景系統、附加透鏡、濾光鏡、效果鏡等；曝光系統包括快門(mén)機構、光圈機構、測光系統、閃光系統、自拍機構等；輔助系統包括卷片機構、計數機構、倒片機構等。

捷德電子礦用防爆本安型照相機利用光的直線(xiàn)傳播性質(zhì)和光的折射與反射規律，以光子為載體，把某一瞬間的被攝景物的光信息量，以能量方式經(jīng)照相鏡頭傳遞給感光材料，最終成為可視的影像。照相機的光學(xué)成像系統是按照幾何光學(xué)原理設計的，并通過(guò)鏡頭，把景物影像通過(guò)光線(xiàn)的直線(xiàn)傳播、折射或反射準確地聚焦在像平面上。攝影時(shí)，必須控制合適的曝光量，也就是控制到達感光材料上的合適的光子量。因為銀鹽感光材料接收光子量的多少有一限定范圍，光子量過(guò)少形不成潛影核，光子量過(guò)多形成過(guò)曝，圖像又不能分辨。照相機是用光圈改變鏡頭通光口徑大小，來(lái)控制單位時(shí)間到達感光材料的光子量，同時(shí)用改變快門(mén)的開(kāi)閉時(shí)間來(lái)控制曝光時(shí)間的長(cháng)短。

使用照相機時(shí)應遠離強磁場(chǎng)和強電場(chǎng)。強磁場(chǎng)或強電場(chǎng)會(huì )影響相機中電路的正常工作，甚至造成故障。防止較長(cháng)時(shí)間對著(zhù)強烈日光或其它強光源拍照。雖然CCD和CMOS比較耐強光和高溫，但仍需注意防止灼傷或受損。特殊情況下，無(wú)法避開(kāi)強烈日光或強光源時(shí)，要盡量縮短拍照時(shí)間。